氮化錳的主要應(yīng)用

氮化錳中間合金產(chǎn)品的研究對金屬錳深加工產(chǎn)業(yè)具有重要的現(xiàn)實(shí)意義及經(jīng)濟(jì)價(jià)值。由于錳、氮的各種作用，在煉制高強(qiáng)度鋼、不銹鋼、耐熱鋼時(shí)需要同時(shí)加人錳、氮元素。以單質(zhì)形式加入錳、氮兩種元素時(shí)，存在如氮的溶解度低、密度小、不易加入及氮的添加量不易控制等缺點(diǎn)。然而，以氮錳化合物形式加入時(shí)，不僅易于加入，并且錳、氮的利用率也高，因此研究氮化錳的制備工藝有著重要意義，同時(shí)，氮化錳制品市場前景遠(yuǎn)大。

氮化錳的主要應(yīng)用
    傳統(tǒng)的Mn基阻擋層主要通過PVD共沉積CuMn復(fù)合材料，然后使用熱退火處理 使Mn擴(kuò)散至介質(zhì)表面來實(shí)現(xiàn)。但是，在退火過程中，Cu與low-k（比如SiCOH）介質(zhì)直接接觸， 將會(huì)導(dǎo)致Cu在介質(zhì)材料中擴(kuò)散；而且形成的MnSixOy薄膜導(dǎo)電性較差，一般為絕緣體，會(huì)導(dǎo)致 RC延遲增加。
     CN201810068633。4克服了傳統(tǒng)方法制備的Mn基阻擋層的不足，提出一種導(dǎo)電性良好，薄膜厚度精確可控，薄膜的組成和厚度均勻，且可以在三維結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋的MnxNy薄膜（其中x和y分別代表Mn和N在薄膜中的相對原子比）制備方法，并且與目前集成電路后道 Cu互連技術(shù)相兼容，具有很好的市場應(yīng)用前景。
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